H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-PBC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-VKI от SK hynix и H5AN8G8NCJR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,85 | $2,40 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Корпус | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Lead-Free & Halogen-Free |
| Организация памяти | — | 1G x 8 (x8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Особенности | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |