H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-VKI par SK hynix et H5AN8G8NCJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,85 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Lead-Free & Halogen-Free |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 (x8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Caractéristiques | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |