H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NCR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NCR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,60 $72,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 16Gb x16 —
Density 16 Gb —
Velocidad de datos 2666 Mbps (speed grade -RDC) 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interfaz Synchronous, double data rate —
Clocking Fully synchronous to both clock edges —
Encapsulado FBGA (Ball Grid Array), surface mount 96-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Application Main memory —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
On-Die Termination (ODT) Supported (DDR4 feature) —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Tamaño de memoria — 16 Gb (2 GB)
Organización de memoria — 1G x 16
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

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