H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NCR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NCR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,60 $72,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 16Gb x16 —
Density 16 Gb —
Débit de données 2666 Mbps (speed grade -RDC) 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interface Synchronous, double data rate —
Clocking Fully synchronous to both clock edges —
Boîtier FBGA (Ball Grid Array), surface mount 96-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Application Main memory —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
On-Die Termination (ODT) Supported (DDR4 feature) —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Taille de mémoire — 16 Gb (2 GB)
Organisation de la mémoire — 1G x 16
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

Fiches techniques et ressources

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