H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NCR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría DRAM Mobile LPDDR4
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,09 $9,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organización de memoria 256M x 16 1G x 16
Interfaz DDR4 (CMOS) CMOS, Double Data Rate IV
Encapsulado PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96 (PBGA-96)
Package Dimensions 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) —
Access Mode Multi Bank, Page Burst —
Temperatura de funcionamiento -40C to +95C [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Refresh Auto / Self Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Data Mask Supported (DM function) —
Asynchronous Reset Supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Supported —
Write Leveling Supported —
CRC Supported —
Supply Voltage Class DDR4 (1.2 V class) —
Estado RoHS RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Compliance Compliant —
ECCN EAR99 —
HTS Code 8542.32.00.36 —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Max Data Rate] —
Memory Density — 16 Gb (2 GB)
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Tipo de montaje — Surface Mount
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]
Application — Main memory, embedded computing, industrial controllers

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