H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix e H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NCR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria DRAM Mobile LPDDR4
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,09 $9,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organização da memória 256M x 16 1G x 16
Interface DDR4 (CMOS) CMOS, Double Data Rate IV
Encapsulamento PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96 (PBGA-96)
Package Dimensions 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) —
Access Mode Multi Bank, Page Burst —
Temperatura de operação -40C to +95C [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Refresh Auto / Self Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Data Mask Supported (DM function) —
Asynchronous Reset Supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Supported —
Write Leveling Supported —
CRC Supported —
Supply Voltage Class DDR4 (1.2 V class) —
Status RoHS RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Compliance Compliant —
ECCN EAR99 —
HTS Code 8542.32.00.36 —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Max Data Rate [DATA_NEEDED: Max Data Rate] —
Memory Density — 16 Gb (2 GB)
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Tipo de montagem — Surface Mount
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]
Application — Main memory, embedded computing, industrial controllers

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação