H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCMR-XNI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix y H5ANAG6NCMR-XNI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCMR-XNI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $84,97 | $4,95 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Tamaño de memoria | 16 Gbit | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM |
| Power Class | — | Normal Power |
| Product Status | — | Active |
| Application Domain | — | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics |
| Memory Format | — | DRAM |
| Speed Bin Family | — | UH/VK/WM/XN |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| VPP Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |