H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCMR-XNI Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix e H5ANAG6NCMR-XNI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCMR-XNI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $84,97 | $4,95 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Tamanho da memória | 16 Gbit | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interface | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Encapsulamento | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM |
| Power Class | — | Normal Power |
| Product Status | — | Active |
| Application Domain | — | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics |
| Memory Format | — | DRAM |
| Speed Bin Family | — | UH/VK/WM/XN |
| Temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| VPP Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |