H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCMR-XNI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NCMR-XNI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCMR-XNI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $84,97 | $4,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 16 Gbit | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interface | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM |
| Power Class | — | Normal Power |
| Product Status | — | Active |
| Application Domain | — | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics |
| Memory Format | — | DRAM |
| Speed Bin Family | — | UH/VK/WM/XN |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| VPP Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |