H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCMR-XNI por SK hynix y H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCMR-XNI | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,95 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM | CMOS |
| Power Class | Normal Power | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel (DDR4) | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Product Status | Active | — |
| Application Domain | Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Speed Bin Family | UH/VK/WM/XN | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| VPP Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |