H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCMR-XNI por SK hynix e H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,95 $0,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Taxa de dados 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Tensão de alimentação 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM CMOS
Power Class Normal Power —
Encapsulamento FBGA-96 96-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel (DDR4) DDR4 (Double Data Rate 4)
Product Status Active —
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Memory Density — 16 Gbit
Organização da memória — 2G x 8
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Application — Main memory (PC / server / embedded)
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]

Fichas técnicas e recursos

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