H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCMR-XNI par SK hynix et H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,95 $0,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Tension d'alimentation 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM CMOS
Power Class Normal Power —
Boîtier FBGA-96 96-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel (DDR4) DDR4 (Double Data Rate 4)
Product Status Active —
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Memory Density — 16 Gbit
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Application — Main memory (PC / server / embedded)
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]

Fiches techniques et ressources

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