H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $72,10 $4,50
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 16 Gb (2 GB) —
Organización de memoria 1G x 16 1G x 16
Velocidad de datos 3200 Mbps (PC4-25600 class) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Encapsulado 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Package Body Rectangular, 8 mm width —
Maximum Standby Current 0.074 A —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Number of Terminals (Balls) 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: Refresh Interval] —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interfaz — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Estado del ciclo de vida — Active production

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