H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $72,10 $4,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Débit de données 3200 Mbps (PC4-25600 class) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Boîtier 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Package Body Rectangular, 8 mm width —
Maximum Standby Current 0.074 A —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Number of Terminals (Balls) 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: Refresh Interval] —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Type d'interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Statut du cycle de vie — Active production

Fiches techniques et ressources

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