H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NCR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Mobile LPDDR4 Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,20 $72,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Organización de memoria 1G x 16 1G x 16
Interfaz CMOS, Double Data Rate IV —
Encapsulado FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Tamaño de memoria — 16 Gb (2 GB)
Velocidad de datos — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

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