H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NCR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Mobile LPDDR4 Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,20 $72,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Speicherorganisation 1G x 16 1G x 16
Schnittstelle CMOS, Double Data Rate IV —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Speichergröße — 16 Gb (2 GB)
Datenrate — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

Datenblätter & Ressourcen

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