H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Mobile LPDDR4 Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $72,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Interface CMOS, Double Data Rate IV —
Boîtier FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Taille de mémoire — 16 Gb (2 GB)
Débit de données — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

Fiches techniques et ressources

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