H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Mobile LPDDR4 Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.20 $72.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
메모리 구성 1G x 16 1G x 16
인터페이스 CMOS, Double Data Rate IV —
패키지 FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
메모리 크기 — 16 Gb (2 GB)
데이터 속도 — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

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