H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,60 $9,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
Organización de memoria 2G x 8 —
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Encapsulado FBGA-78 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Estado RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Memory Organization — 16Gb x16
Velocidad de datos — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interfaz — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

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