H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix e H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,60 $9,60
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
Organização da memória 2G x 8 —
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tensão de alimentação 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Encapsulamento FBGA-78 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Status RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Memory Organization — 16Gb x16
Taxa de dados — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

Fichas técnicas e recursos

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