H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,60 $9,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
Organisation de la mémoire 2G x 8 —
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Température de fonctionnement 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Boîtier FBGA-78 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Statut RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Memory Organization — 16Gb x16
Débit de données — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

Fiches techniques et ressources

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