H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.60 $9.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
メモリ構成 2G x 8 —
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
電源電圧 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
パッケージ FBGA-78 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS ステータス Compliant, Lead-Free and Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Memory Organization — 16Gb x16
データレート — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
インターフェース — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

データシート&リソース

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