H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,60 $8,05
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organización de memoria 2G x 8 —
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado FBGA-78 FBGA-78
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Estado RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Tamaño de memoria — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Velocidad de datos — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Power Class — Normal Power
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

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