H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,60 $8,05
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organisation de la mémoire 2G x 8 —
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
Température de fonctionnement 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier FBGA-78 FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Statut RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free [DATA_NEEDED: RoHS status]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
Débit de données — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Power Class — Normal Power
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

Fiches techniques et ressources

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