H5ANAG8NCMR-XNI vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCMR-XNI por SK hynix y H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Activo
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,15 $65,63
Tipo de memoria Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Tamaño de memoria 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Interfaz Parallel —
Velocidad de datos 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Encapsulado FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh specification]
Density — 16 Gbit
Organización de memoria — 2G x 8
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

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