H5ANAG8NCMR-XNI vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NCMR-XNI por SK hynix e H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Ativo
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCJR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,15 $65,63
Tipo de memória Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Tamanho da memória 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Interface Parallel —
Taxa de dados 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh specification]
Density — 16 Gbit
Organização da memória — 2G x 8
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

Fichas técnicas e recursos

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