H5ANAG8NCMR-XNI vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-XNI par SK hynix et H5ANAG8NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ Actif
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCJR-XNC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,15 $65,63
Type de mémoire Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization x8 —
Interface Parallel —
Débit de données 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Boîtier FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh specification]
Density — 16 Gbit
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

Fiches techniques et ressources

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