H5ANAG8NCMR-XNI vs H5ANAG8NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NCMR-XNI メーカー: SK hynix および H5ANAG8NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ 生産中
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H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.15 $65.63
メモリタイプ Volatile (DRAM) DDR4 SDRAM
Memory Format DDR4 SDRAM —
メモリサイズ 16 Gb —
Memory Organization x8 —
インターフェース Parallel —
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
パッケージ FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Product Status Active —
Manufacturer SK Hynix —
Technology CMOS DDR4 SDRAM —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh specification]
Density — 16 Gbit
メモリ構成 — 2G x 8
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

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