H5TC4G63AFR-H9A vs H5TC4G63CFR-H9A Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-H9A por SK hynix y H5TC4G63CFR-H9A por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $6,50
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.35 V —
Velocidad de datos 1866 Mbps (PC3-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Latencia CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS latency]
Encapsulado 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C (TC) —
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8, 4 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Self-Refresh Yes —
Auto-Refresh Yes —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Estado RoHS — Compliant
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Hojas de datos y recursos

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