H5TC4G63AFR-H9A vs H5TC4G63CFR-H9A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-H9A par SK hynix et H5TC4G63CFR-H9A par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-H9A ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63AFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $6,50
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35 V —
Débit de données 1866 Mbps (PC3-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Latence CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS latency]
Boîtier 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Température de fonctionnement 0C to +95C (TC) —
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8, 4 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Self-Refresh Yes —
Auto-Refresh Yes —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Statut RoHS — Compliant
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Fiches techniques et ressources

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