H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E Comparación

Comparación detallada lado a lado de H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK por SK hynix y H9JCNNNBK3MLYR-N6E por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK H9JCNNNBK3MLYR-N6E
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $20,85 $24,37
Tipo de memoria Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM) LPDDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gb (2 GB)
Organización de memoria 512M x 32 512M x 32
Velocidad de datos 6400 Mbps (LPDDR5-6400) 6400 Mbps per pin
Bus Width 16-bit —
Channel Architecture Dual-channel (per datasheet family) —
VDD (Core Supply) 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V) —
VDDQ (I/O Supply) 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V) —
Temperatura de funcionamiento -55C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado 315-ball TFBGA (12 x 12 mm) TFBGA-315
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard JESD209-5 (LPDDR5) —
On-die ECC Yes (per LPDDR5 base spec) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage]
Supply Voltage (VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage]
Number of Channels — Dual channel (x16 + x16)
Memory Technology — DRAM (volatile)
Refresh Mode — [DATA_NEEDED: refresh mode support]
On-Die Termination — [DATA_NEEDED: ODT support]
Bank Architecture — [DATA_NEEDED: bank group configuration]

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