H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E 比較

詳細な並列比較: H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK メーカー: SK hynix および H9JCNNNBK3MLYR-N6E メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix | TFBGA-315

H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix | TFBGA-315

H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK ✓ 生産中
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H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK H9JCNNNBK3MLYR-N6E
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $20.85 $24.37
メモリタイプ Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM) LPDDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gb (2 GB)
メモリ構成 512M x 32 512M x 32
データレート 6400 Mbps (LPDDR5-6400) 6400 Mbps per pin
Bus Width 16-bit —
Channel Architecture Dual-channel (per datasheet family) —
VDD (Core Supply) 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V) —
VDDQ (I/O Supply) 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V) —
動作温度 -55C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 315-ball TFBGA (12 x 12 mm) TFBGA-315
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard JESD209-5 (LPDDR5) —
On-die ECC Yes (per LPDDR5 base spec) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage]
Supply Voltage (VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage]
Number of Channels — Dual channel (x16 + x16)
Memory Technology — DRAM (volatile)
Refresh Mode — [DATA_NEEDED: refresh mode support]
On-Die Termination — [DATA_NEEDED: ODT support]
Bank Architecture — [DATA_NEEDED: bank group configuration]

データシート&リソース

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