H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK vs H9JCNNNBK3MLYR-N6E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK par SK hynix et H9JCNNNBK3MLYR-N6E par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H9JCNNNBK3MLYR-N6E H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E - 16Gb LPDDR5-6400 SDRAM | SK Hynix

H9JCNNNBK3MLYR-N6E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H9JCNNNBK3MLYR-N6E-SK H9JCNNNBK3MLYR-N6E
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $20,85 $24,37
Type de mémoire Volatile - DRAM (LPDDR5 SDRAM) LPDDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gb (2 GB)
Organisation de la mémoire 512M x 32 512M x 32
Débit de données 6400 Mbps (LPDDR5-6400) 6400 Mbps per pin
Bus Width 16-bit —
Channel Architecture Dual-channel (per datasheet family) —
VDD (Core Supply) 1.05 V (range 1.01 V to 1.12 V) —
VDDQ (I/O Supply) 1.8 V (range 1.7 V to 1.95 V) —
Température de fonctionnement -55C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 315-ball TFBGA (12 x 12 mm) TFBGA-315
Type de montage Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard JESD209-5 (LPDDR5) —
On-die ECC Yes (per LPDDR5 base spec) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 rail voltage]
Supply Voltage (VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ rail voltage]
Number of Channels — Dual channel (x16 + x16)
Memory Technology — DRAM (volatile)
Refresh Mode — [DATA_NEEDED: refresh mode support]
On-Die Termination — [DATA_NEEDED: ODT support]
Bank Architecture — [DATA_NEEDED: bank group configuration]

Fiches techniques et ressources

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