IAUC100N04S6L020ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon y BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC100N04S6L020ATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $1,49
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 MOSFET (Metal Oxide)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

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