IAUC100N04S6L020ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon e BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N04S6L020ATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $1,49
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 MOSFET (Metal Oxide)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C (junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Fichas técnicas e recursos

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