IAUC100N04S6L020ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon et BSC100N10NSFGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N04S6L020ATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $1,49
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 MOSFET (Metal Oxide)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Fiches techniques et ressources

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