IAUC100N04S6L020ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUC100N04S6L020ATMA1 メーカー: Infineon および BSC100N10NSFGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ 生産中Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUC100N04S6L020ATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.86 | $1.49 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 75 W | — |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | 2.04 mΩ | — |
| RDS(on) Typical | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | 2.0 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| パッケージ | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |