IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7L006ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IAUC100N04S6L020ATMA1 | IAUCN04S7L006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,86 | $1,38 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 75 W | — |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | 2.04 mΩ | — |
| RDS(on) Typical | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | 2.0 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-7 trench |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) | PG-TDSON-8-43 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1) | Tape and Reel (ATMA1) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max | — | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| Recuento de pines | — | 8 |
| Polarity | — | Single N-Channel |