IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUC100N04S6L020ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7L006ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,86 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-7 trench
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C
Корпус PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8-43
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) Tape and Reel (ATMA1)
Статус RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
Число выводов — 8
Polarity — Single N-Channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену