IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7L006ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6L020ATMA1 | IAUCN04S7L006ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,86 | $1,38 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 75 W | — |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | 2.04 mΩ | — |
| RDS(on) Typical | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | 2.0 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS-7 trench |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) | PG-TDSON-8-43 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1) | Tape and Reel (ATMA1) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max | — | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Polarity | — | Single N-Channel |