IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC120N06S5L015ATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L018ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $1,55
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C
Encapsulado PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-43 (5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — [DATA_NEEDED: ID at Tc]
Maximum RDS(on) at VGS=10 V — 1.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C — 169 W
Qualification — Automotive (per Infineon part description)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V

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