IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L018ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $1,55
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-43 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — [DATA_NEEDED: ID at Tc]
Maximum RDS(on) at VGS=10 V — 1.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C — 169 W
Qualification — Automotive (per Infineon part description)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V

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