IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon y IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 Automotive OptiMOS 7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 50 A —
On-Resistance (RDS(on)) 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 21 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1394 pF @ 40 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 60 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C -55°C to +175°C (TJ)
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-33 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Encapsulado — PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

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