IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUC50N08S5N102ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN08S7L033ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IAUC50N08S5N102ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.51 | $0.86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | Automotive OptiMOS 7 |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 50 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1394 pF @ 40 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 60 W | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (TJ) |
| パッケージ / ケース | PG-TDSON-8-33 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |