IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L033ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IAUC50N08S5N102ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,51 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | Automotive OptiMOS 7 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 50 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1394 pF @ 40 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 60 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TDSON-8-33 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Encapsulamento | — | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |