IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S6N009TATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N009ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,71 $1,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Encapsulado PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
Temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Nivel MSL — 1
Estado RoHS — Compliant
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

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