IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S6N009TATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N009ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.71 $1.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
パッケージ PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
動作温度 — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSLレベル — 1
RoHS ステータス — Compliant
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

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