IAUCN04S7N012ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N012ATMA1 por Infineon y BSC117N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ Activo
Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N012ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $0,46
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS-7 (trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg value]
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Transistor Grade Automotive (AEC-Q101) —
Disipación de potencia (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Nivel MSL 1 1
Polarity N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
Recuento de pines — 8
Lead-Free — Yes

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