IAUCN04S7N012ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N012ATMA1 par Infineon et BSC117N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N012ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,46 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS-7 (trench) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Transistor Grade | Automotive (AEC-Q101) | — |
| Dissipation de puissance (Ptot) | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |