IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N015GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,82 | $2,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| Encapsulado | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | AEC-Q101 qualified |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55C to +175C |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nivel MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |